закрыть Закрыть
Оперативная память Kingston KVR800D2N6/2G

(2Gb,DDRII,PC6400,800MHz)

Код: 66307

Оперативная память Kingston KVR800D2N6/2G

1 990 ₽

До конца акции осталось:
Купить в 1 клик
Цена для юр. лиц: 2 040 ₽
Оформить заказ на организацию
Наличие: в 1 магазине
В избранное
Характеристики

Общие характеристики

Производитель Kingston
Тип
Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) - синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM - поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.
DDR3 SDRAM - следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 - способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.
В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 - стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 - 1.2 В. Для сравнения, у "обычных" модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. DDR4 - следующее поколение модулей памяти после DDR3. Основное отличие DDR4 - удвоенная максимальная скорость передачи данных - до 3,2 Гбит/с. Также увеличена максимальная частота (до 4266 МГц) и стабильность работы.
Модули DDR4 имеют увеличенное число контактов, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы - совместимость с различными модулями памяти.
DDR2
Форм-фактор
Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM, LRDIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM - форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
LRDIMM-модули устанавливаются в серверах. Они оснащаются буфером, снижающим нагрузку на шину памяти.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.
DIMM
Тактовая частота 800 МГц
Объем одного модуля 2 Гб
Количество модулей в комплекте 1 шт.
Суммарный объем памяти всего комплекта 2 Гб
Пропускная способность
Пропускная способность модуля памяти - количество передаваемой или получаемой информации за одну секунду. Значение данного параметра напрямую зависит от тактовой частоты памяти и рассчитывается умножением тактовой частоты на ширину шины. Чем выше пропускная способность, тем быстрее работает память и тем выше стоимость модуля (при совпадении остальных характеристик).
6400 Мб/с
Напряжение питания
Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение.
1.8 В
Поддержка ECC
Поддержка Error Checking and Correction - алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм.
нет
Низкопрофильная (Low Profile)
Модуль памяти, имеющий уменьшенную высоту по сравнению со стандартным размером, может быть установлен в серверных корпусах небольшой высоты.
да
CL
CAS Latency, CAS - это количество тактов от момента запроса данных до их считывания с модуля памяти. Одна из важнейших характеристик модуля памяти, определяющая ее быстродействие. Чем меньше значение CL, тем быстрее работает память.
6
Буферизованная (Registered)
Наличие на модуле памяти специальных регистров (буфера), которые относительно быстро сохраняют поступившие данные и снижают нагрузку на систему синхронизации, освобождая контроллер памяти. Наличие буфера между контроллером и чипами памяти приводит к образованию дополнительной задержки в один такт при выполнении операций, т.е. более высокая надежность достигается за счет незначительного падения быстродействия. Модули памяти с регистрами имеют высокую стоимость и используются в основном в серверах. Следует иметь в виду, что буферизованная (RDIMM) и небуферизованная (UDIMM) память несовместимы, т.е. не могут одновременно использоваться в одной системе.
нет
Количество контактов
Количество контактных площадок, расположенных на модуле памяти. Количество контактов в слоте для оперативной памяти на материнской плате должно совпадать с количеством контактов на модуле. Следует также иметь в виду, что помимо одинакового количества контактов должны совпадать и "ключи" (специальные вырезы на модуле, препятствующие неправильной установке).
240
Подробнее

Подробнее

Общие характеристики
Тип памяти DDR2
Форм-фактор DIMM 240-контактный
Тактовая частота 800 МГц
Пропускная способность 6400 Мб/с
Объем 1 модуль 2 Гб
Поддержка ECC нет
Буферизованная (Registered) нет
Низкопрофильная (Low Profile) нет
Тайминги
CAS Latency (CL) 6
Дополнительно
Количество чипов каждого модуля 16, двусторонняя упаковка
Напряжение питания 1.8 В
Отзывы (13)
1 2 3
Мамадалиев Адахамжон
Достоинства: надёжность
Недостатки: нет
Комментарий: досталась одна палка бушная откуда то, поставил и уже 3года работает, до этого хз сколько...
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
04 марта 2017
Кузнецов Александр
Достоинства: работает
Недостатки:
Комментарий: Подкормил рабочую лошадку, добавил 2 планки по 2 Гб, перешел на 64-bit ОС. Память встала на...
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
15 декабря 2016
Урсул Максим
Достоинства: Цена. Хорошо гонятся. Не сильно греются.
Недостатки: Нет.
Комментарий: Сначала испугался что тайминги при частоте 800 МГц 6-6-6-18 великоваты. Но уж очень хотелось 8 Гб, а денег тратить не хотелось, в итоге взял их. Не жалею ни капли. Работают 4 шт на ASUS P5KR...
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
01 августа 2015
Anonymous
Достоинства: Планка на 2 гига радость была не долгой
Недостатки: Компьютер после 3 месяцев перестал запускаться с этой планкой, купил такую же новую планку загнулась...
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
31 июля 2015
Исламов Василий
Достоинства: Работает на частоте 1066
Недостатки: нет
Комментарий: поставил, выставил заявленные тайминги, разогнал, в итоге: Свойства шины памяти Тип шины Unganged Dual DDR2 SDRAM Ширина шины 128 бит Соотношение DRAM:FSB 16:6 ...
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
08 Февраля 2015
1 2 3
Вы можете купить Оперативная память Kingston KVR800D2N6/2G в интернет-магазине Альдо.
Оперативная память Kingston KVR800D2N6/2G характеристики, описание, отзывы.
Наличие: в 1 магазине
Стоимость доставки
По Красноярску - 200 ₽
по России - от 500 рублей

Вы недавно смотрели