закрыть Закрыть
Модуль памяти SO-DDR3 4096Mb PC10660/1333MHz Kingston KVR13S9S8/4
Код: 121789
Цена снижена!

-20%

Модуль памяти SO-DDR3 4096Mb PC10660/1333MHz Kingston KVR13S9S8/4

Модуль памяти SO-DDR3 4096Mb PC10660/1333MHz Kingston KVR13S9S8/4

2 390 ₽

1 912 ₽

Наличие: в 4 магазинах
закрыть Закрыть

Доставим в г. Красноярск:

  • Транспортной компанией:
  • Почтой России:
  • Через 2-3 недели, 400
закрыть Закрыть

Доставим в г. Красноярск:

  • Транспортной компанией:
  • Собственной службой:
  • Бесплатно, ожидается сегодня
Купить в 1 клик
Цена для юр. лиц: 2 470 ₽
Оформить заказ на организацию
Наличие: в 4 магазинах
закрыть Закрыть

Доставим в г. Красноярск:

  • Транспортной компанией:
  • Почтой России:
  • Через 2-3 недели, 400
закрыть Закрыть

Доставим в г. Красноярск:

  • Транспортной компанией:
  • Собственной службой:
  • Бесплатно, ожидается сегодня
Стоимость доставки
По Красноярску - 200 ₽
по России - от 350 рублей
В избранное
Характеристики

Общие характеристики

Производитель Kingston
Тип
Тип оперативной памяти. Тип определяет внутреннюю структуру и основные характеристики памяти. На сегодняшний день существует пять основных типов оперативной памяти: SDRAM, DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, RIMM.
SDRAM (Synchronous Dynamic Random Access Memory) - синхронная динамическая память со случайным доступом. Преимуществом, по сравнению с памятью предыдущих поколений, является наличие синхронизации с системным генератором, что позволяет контроллеру памяти точно знать время готовности данных, благодаря чему временные задержки в процессе циклов ожидания уменьшаются, т.к. данные могут быть доступны во время каждого такта таймера. Ранее широко использовалась в компьютерах, но сейчас практически полностью вытеснена DDR, DDR2 и DDR3.
DDR SDRAM (Double Data Rate SDRAM) - синхронная динамическая память со случайным доступом и удвоенной скоростью передачи данных. Основным преимуществом DDR SDRAM перед SDRAM является то, что за один такт системного генератора может осуществляться две операции с данными, что приводит к увеличению вдвое пиковой пропускной способности при работе на той же частоте.
DDR2 SDRAM - поколение памяти, следующее за DDR. Принцип функционирования аналогичен использующемуся в DDR. Отличие состоит в возможности выборки 4-х бит данных за один такт (для DDR осуществляется 2-х битная выборка), а также в более низком энергопотреблении модулей памяти, меньшем тепловыделении и увеличении рабочей частоты.
DDR3 SDRAM - следующее поколение после DDR2 SDRAM, она использует ту же технологию "удвоения частоты". Основные отличия от DDR2 - способность работать на более высокой частоте, и меньшее энергопотребление.
В модулях DDR3 используются "ключи" (ориентирующие прорези), отличающиеся от "ключей" DDR2, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
DDR3L и LPDDR3 - стандарты памяти DDR3 с пониженным энергопотреблением. Напряжение питания у DDR3L снижено до 1.35 В. Напряжение LPDDR3 - 1.2 В. Для сравнения, у "обычных" модулей DDR3 напряжение питания составляет 1.5 В. DDR4 - следующее поколение модулей памяти после DDR3. Основное отличие DDR4 - удвоенная максимальная скорость передачи данных - до 3,2 Гбит/с. Также увеличена максимальная частота (до 4266 МГц) и стабильность работы.
Модули DDR4 имеют увеличенное число контактов, что делает их несовместимыми со старыми слотами.
RIMM (RDRAM, Rambus DRAM) - синхронная динамическая память, разработанная компанией Rambus. Основными отличиями от DDR-памяти являются увеличение тактовой частоты за счет уменьшения разрядности шины и одновременная передача номера строки и столбца ячейки при обращении к памяти. При чуть большей производительности RDRAM была существенно дороже DDR, что привело к практически полному вытеснению этого типа памяти с рынка.
При выборе типа памяти в первую очередь следует ориентироваться на возможности вашей материнской платы - совместимость с различными модулями памяти.
DDR3
Форм-фактор
Форм-фактор модуля оперативной памяти. Форм-фактор - это стандарт, определяющий размеры модуля памяти, а также количество и расположение контактов. Существует несколько физически несовместимых форм-факторов памяти: SIMM, DIMM, FB-DIMM, SODIMM, MicroDIMM, RIMM, LRDIMM.
SIMM (Single in Line Memory Module) - на модулях памяти форм-фактора SIMM обычно располагаются 30 или 72 контакта, при этом каждый контакт имеет выход на обе стороны платы памяти.
DIMM (Dual in Line Memory Module) - модули памяти форм-фактора DIMM, как правило, имеют 168, 184, 200 или 240 независимых контактных площадок, которые расположены по обе стороны платы памяти.
Модули памяти стандарта FB-DIMM предназначены для использования в серверах. Механически они аналогичны модулям памяти DIMM 240-pin, но абсолютно несовместимы с обычными небуферизованными модулями памяти DDR2 DIMM и Registered DDR2 DIMM.
SODIMM (Small Outline Dual In-Line Memory Module) - более компактный вариант DIMM, использующийся чаще всего в ноутбуках и Tablet PC. 144-контактные и 200-контактные модули наиболее популярные SODIMM, но также встречаются 72 и 168-контактные.
MicroDIMM (Micro Dual In-Line Memory Module) - еще один вариант DIMM, часто устанавливаемый в субноутбуки. По размерам меньше, чем SODIMM и имеет 60 контактных площадок. MicroDIMM доступны в следующих вариантах: 144-контактная SDRAM, 172-контактная DDR и 214-контактная DDR2.
RIMM - форм-фактор для всех модулей памяти типа RIMM (RDRAM), имеет 184, 168 или 242 контакта.
LRDIMM-модули устанавливаются в серверах. Они оснащаются буфером, снижающим нагрузку на шину памяти.
Форм-фактор модуля оперативной памяти должен совпадать с форм-фактором, поддерживаемым материнской платой вашего компьютера.
SODIMM
Тактовая частота 1333 МГц
Объем одного модуля 4 Гб
Количество модулей в комплекте 1 шт.
Суммарный объем памяти всего комплекта 4 Гб
Напряжение питания
Напряжение, необходимое для питания модуля оперативной памяти. Каждый модуль рассчитан на определенное значение напряжения, поэтому при выборе следует убедиться, что ваша материнская плата поддерживает необходимое напряжение.
1.5 В
Поддержка ECC
Поддержка Error Checking and Correction - алгоритма, позволяющего не только выявлять, но и исправлять случайные ошибки (не более одного бита в байте), возникающие в процессе передачи данных. Технологию ECC поддерживают некоторые материнские платы для рабочих станций и практически все серверные. Модули памяти с ECC имеют более высокую стоимость, чем не поддерживающие этот алгоритм.
нет


Обратите внимание, комплектация товара может быть изменена производителем продукции в любое время без уведомления пользователей Сайта.

Отзывы (15)
1 2 3
Котов Алексей
Достоинства: Встала в двухканальный режим как родная в пару к 16-ти чиповой A-DATA со схожими характеристиками.
Недостатки: Прирост производительности оказался не столь значительным в сравнении с 4ГБ изначальных.
Комментарий: Долго читал, выбирал, сомневался что подойдет. Работает без проблем c Intel Core i3-2350M.
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
02 ноября 2016
Байжуменов Танат
Достоинства: Гарантия 10 лет ) Определилась биосом, проверка на наличие ошибок не выявила таковых.
Недостатки: Не подходит к ноутбуку HP Pavilion g6-1053er модель апреля 2011 года.
Комментарий: Стояли 2 планки 2+1 в сумме давало 3 Гб. На сайте производителя указано, что максимальный объем памяти для установки в сумме не может превышать 4 Гб. Но после Обновления Биоса и чипсета материнской платы (еще что то обновлял с официального сайта HP) AIDA стала показывать возможность увеличения до 8 Гб. Планка Биосом определилась но Винда напрочь отказалась стартовать, проблему не решила даже чистая переустановка. Проблема была в количестве чипов на планке. Для старых моделей количество чипов должно быть больше чем для современных (4 чипа на 1 Гб). Поменял на DDR3 SODIMM 4Gb (1x4Gb) 1333MHz CL9 1.5V Transcend (TS512MSK64V3N) все определилось и заработало на ура!
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
27 октября 2016
Лаврухин Алексей
Достоинства: Самая обычная оперативная память, работает да и хорошо.
Недостатки: За неделю пользования не обнаружил.
Комментарий: Купил память 2 планки по 4 гб, очень долго думал, анализировал, сверял будет ли она совместима с ноутом тошиба сателит с670-14к, в ноуте всего было 3 гб (1х1гб, 1х2гб), intel HM65. Заменил, но при первом включении ноут не включился, стал попеременно менять местами планки в разных комбинациях после чего всё запустилось на отлично, CPU-Z, AIDA64, отображает все отлично 8 гб.
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
24 апреля 2016
Anonymous
Достоинства: нет
Недостатки: Не работает на Intel HM55
Комментарий: Ноутбук HP G62 - установил модуль памяти, при запуске системы зависает и выдает синий экран с ошибкой. В биос определяется.
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
21 марта 2016
Терновой Олег
Достоинства: неожидано для меня после замены в ноуте заводского модуля на Kingston KVR13S9S8/4 индекс производительности оперативной памяти в Windows скакнул с 5.9 на 7.1
Недостатки:
Комментарий: Подходит для Asus K53SD c процессором второго поколения Sandy Bridge i3-2350M на чипсете Intel HM65
Отзыв оставлен: Яндекс.Маркет
01 Февраля 2016
1 2 3
Вы можете купить Модуль памяти SO-DDR3 4096Mb PC10660/1333MHz Kingston KVR13S9S8/4 в интернет-магазине Альдо.
Модуль памяти SO-DDR3 4096Mb PC10660/1333MHz Kingston KVR13S9S8/4 характеристики, описание, отзывы.
Стоимость доставки
По Красноярску - 200 ₽
по России - от 350 рублей
Все товары от Kingston

Вы недавно смотрели